Węglik krzemu (SiC) jest obecnie najbardziej dojrzałym materiałem półprzewodnikowym o szerokim paśmie wzbronionym. Kraje świata przywiązują dużą wagę do badań SiC i zainwestowały wiele zasobów ludzkich i materialnych, aby aktywnie się rozwijać. Stany Zjednoczone, Europa, Japonia itd. Opracowały nie tylko odpowiednie wymagania na szczeblu krajowym. Plany badawcze i niektórzy międzynarodowi giganci elektroniczni również zainwestowali znaczne środki w rozwój półprzewodnikowych urządzeń z węglika krzemu. W porównaniu ze zwykłym krzemem elementy wykorzystujące węglik krzemu mają następujące właściwości.
1. Charakterystyczne dla wysokiego napięcia urządzenie z węglika krzemu jest 10-krotnie wytrzymywane na napięcie tego samego urządzenia z krzemu, a rurka Schottky z węglika krzemu wytrzymuje napięcie do 2400 V. FET z węglika krzemu może wytrzymać dziesiątki tysięcy woltów, a rezystancja w stanie nie jest duża.
2, charakterystyki wysokiej częstotliwości
3. Charakterystyka w wysokich temperaturach Obecnie materiały Si są bliskie teoretycznej granicy wydajności. Urządzenia zasilające SiC zostały uznane za „urządzenia idealne” ze względu na ich wysokie napięcie wytrzymywane, niską stratę, wysoką sprawność i inne cechy. Jednak w porównaniu z poprzednimi urządzeniami z materiałów Si, równowaga między wydajnością i kosztami urządzeń energetycznych SiC a ich zapotrzebowaniem na wysokie procesy stanie się kluczem do prawdziwej popularności urządzeń energetycznych SiC. Obecnie urządzenia z węglika krzemu o niskiej mocy weszły do praktycznego etapu produkcji urządzeń z laboratorium. Obecnie cena płytek z węglika krzemu jest wciąż wysoka i istnieje wiele wad. https://www.hshightec.com/
