Niemal wszystko, co można odczytać, wprowadza węglik krzemu: węglik krzemu ma odstępy 2,8 razy większe niż krzem (szeroka przerwa) i 3,09 wolta elektronowego. Jego pole przebicia dielektrycznego jest 5,3 razy silniejsze niż krzemu, do 3,2 MV / cm. Jego przewodność cieplna jest 3,3 razy większa niż w przypadku krzemu, który wynosi 49 w / cm.k. Diody Schottky'ego i tranzystory polowe MOS wykonane z węglika krzemu są o rząd wielkości cieńsze niż te same odporne na napięcie urządzenia krzemowe. Stężenie zanieczyszczeń może wynosić dwa rzędy wielkości krzemu. Zatem impedancja na jednostkę powierzchni urządzenia z węglika krzemu stanowi zaledwie jedną setną impedancji urządzenia z krzemu. Jego odporność na znoszenie jest prawie równa pełnej rezystancji urządzenia. Dlatego wartość opałowa urządzenia z węglika krzemu jest wyjątkowo niska. Pomaga to zmniejszyć straty przewodzenia i przełączania, a częstotliwość robocza jest zwykle ponad 10 razy wyższa niż w urządzeniach krzemowych. Ponadto półprzewodniki z węglika krzemu mają z natury silną odporność na promieniowanie. W ostatnich latach urządzenia energetyczne, takie jak IGBT (tranzystory bipolarne z izolowaną bramką) wykonane z materiałów z węglika krzemu, były wykorzystywane w procesach takich jak mniejszościowe wstrzykiwanie w celu zmniejszenia impedancji w stanie włączenia do jednej dziesiątej impedancji konwencjonalnych urządzeń krzemowych. Ponadto samo urządzenie z węglika krzemu ma niewielkie wytwarzanie ciepła, a zatem urządzenie z węglika krzemu ma doskonałą przewodność cieplną. Urządzenia zasilające z węglika krzemu mogą również pracować w wysokich temperaturach 400 ° C. Może kontrolować duże prądy za pomocą małych urządzeń. Napięcie robocze jest również znacznie wyższe. https://www.hshightec.com/
